| Property |
Value |
| dbo:abstract
|
- A - és nanotechnológiában, illetve a a fotolitográfia egy olyan gyártási eljárás, melyet például mikroprocesszorok, és egyéb félvezető eszközök gyártására alkalmaznak. Az eljárás segítségével rendkívül kis méretű elektronikus áramkörök készíthetők: az így készült vezetők vastagsága mindössze néhány tíz nanométer; ez az úgynevezett „csíkszélesség”. Minimális csíkszélességnek nevezzük a kialakítható legkisebb alakzat méretét ez az ún. MFS (Minimal Feature Size). Az eljárás során a félvezető felületére felvitt speciális rétegen maszkot alakítanak ki, mely fény hatására eltávolíthatóvá válik, ezáltal a félvezetőn bizonyos miniatűr struktúrát hátrahagyva. Az így kialakított maszk bizonyos részeket elszigetel, másokat elérhetővé tesz más technológiai eljárások számára. A mikroprocesszorok gyártása során számos ilyen, néhány tized mikrométer vastag réteg kerül egymás fölé, igen bonyolult áramköri struktúrát kialakítva ezzel. A régebbi, kisebb integráltsági fokú eszközöknél a megvilágításra egyszerű fénysugarakat használtak, mivel azonban az alkalmazott hullámhossz határt szab a kialakítható szerkezet méretének, a nanoméretekhez közelítve újabban a megvilágítást speciális optikai eszközökkel, lézerrel, röntgensugarakkal végzik. A fotolitográfa módosulatai az elektron- és ionsugarakkal működő litográfiás berendezések is, melyek alkalmazásával az elérhető legkisebb csíkszélesség elméletileg 5 nm körül van, melyet a becslések szerint (lásd még: Moore-törvény) 2020-ra érnek el. Ez alatt a méret alatt technológiaváltásra lesz szükség. (hu)
- A - és nanotechnológiában, illetve a a fotolitográfia egy olyan gyártási eljárás, melyet például mikroprocesszorok, és egyéb félvezető eszközök gyártására alkalmaznak. Az eljárás segítségével rendkívül kis méretű elektronikus áramkörök készíthetők: az így készült vezetők vastagsága mindössze néhány tíz nanométer; ez az úgynevezett „csíkszélesség”. Minimális csíkszélességnek nevezzük a kialakítható legkisebb alakzat méretét ez az ún. MFS (Minimal Feature Size). Az eljárás során a félvezető felületére felvitt speciális rétegen maszkot alakítanak ki, mely fény hatására eltávolíthatóvá válik, ezáltal a félvezetőn bizonyos miniatűr struktúrát hátrahagyva. Az így kialakított maszk bizonyos részeket elszigetel, másokat elérhetővé tesz más technológiai eljárások számára. A mikroprocesszorok gyártása során számos ilyen, néhány tized mikrométer vastag réteg kerül egymás fölé, igen bonyolult áramköri struktúrát kialakítva ezzel. A régebbi, kisebb integráltsági fokú eszközöknél a megvilágításra egyszerű fénysugarakat használtak, mivel azonban az alkalmazott hullámhossz határt szab a kialakítható szerkezet méretének, a nanoméretekhez közelítve újabban a megvilágítást speciális optikai eszközökkel, lézerrel, röntgensugarakkal végzik. A fotolitográfa módosulatai az elektron- és ionsugarakkal működő litográfiás berendezések is, melyek alkalmazásával az elérhető legkisebb csíkszélesség elméletileg 5 nm körül van, melyet a becslések szerint (lásd még: Moore-törvény) 2020-ra érnek el. Ez alatt a méret alatt technológiaváltásra lesz szükség. (hu)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 10485 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| prop-hu:alcím
|
- Quantum states and electronic transport (hu)
- Quantum states and electronic transport (hu)
|
| prop-hu:cím
|
- Semiconductor Nanostructures (hu)
- Semiconductor Nanostructures (hu)
|
| prop-hu:first
|
- Marc (hu)
- David (hu)
- Rainer (hu)
- C. Y. (hu)
- Uzodinma (hu)
- Marc (hu)
- David (hu)
- Rainer (hu)
- C. Y. (hu)
- Uzodinma (hu)
|
| prop-hu:hely
| |
| prop-hu:isbn
|
- 978 (xsd:integer)
- 9780199534432 (xsd:decimal)
|
| prop-hu:kiadó
|
- Oxford University Press (hu)
- Oxford University Press (hu)
|
| prop-hu:last
|
- Chang (hu)
- Waser (hu)
- Bucknall (hu)
- Madou (hu)
- Okoroanyanwu (hu)
- Chang (hu)
- Waser (hu)
- Bucknall (hu)
- Madou (hu)
- Okoroanyanwu (hu)
|
| prop-hu:publicationPlace
|
- New York (hu)
- Weinheim (hu)
- Boca Raton, FL (hu)
- Bellingham, Wash (hu)
- Cambridge Boca Raton, FL (hu)
- New York (hu)
- Weinheim (hu)
- Boca Raton, FL (hu)
- Bellingham, Wash (hu)
- Cambridge Boca Raton, FL (hu)
|
| prop-hu:publisher
|
- McGraw-Hill (hu)
- CRC Press (hu)
- Wiley-VCH (hu)
- SPIE (hu)
- Woodhead Pub. CRC Press (hu)
- McGraw-Hill (hu)
- CRC Press (hu)
- Wiley-VCH (hu)
- SPIE (hu)
- Woodhead Pub. CRC Press (hu)
|
| prop-hu:ref
| |
| prop-hu:szerző
|
- Thomas Ihn (hu)
- Thomas Ihn (hu)
|
| prop-hu:title
|
- Nanoelectronics and information technology : advanced electronic materials and novel devices (hu)
- Nanolithography and patterning techniques in microelectronics (hu)
- Chemistry and lithography (hu)
- ULSI technology (hu)
- Fundamentals of microfabrication and nanotechnology (hu)
- Nanoelectronics and information technology : advanced electronic materials and novel devices (hu)
- Nanolithography and patterning techniques in microelectronics (hu)
- Chemistry and lithography (hu)
- ULSI technology (hu)
- Fundamentals of microfabrication and nanotechnology (hu)
|
| prop-hu:wikiPageUsesTemplate
| |
| prop-hu:year
|
- 1996 (xsd:integer)
- 2005 (xsd:integer)
- 2010 (xsd:integer)
- 2012 (xsd:integer)
|
| prop-hu:év
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:label
|
- Fotolitográfia (hu)
- Fotolitográfia (hu)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is foaf:primaryTopic
of | |
