| Property |
Value |
| dbo:abstract
|
- A heteroátmenetnek nevezik azt az anyagi tartományt, mely két összeérintett, különböző sávszerkezeti jellemzőkkel bíró félvezető anyag határfelületén alakul ki. Heteroátmenetet képezhetnek különböző típusú félvezetők (pl. p-n átmenet), de akár azonos típusúak is. Például két n-típusú, de különböző anyagú, emiatt eltérő tiltott sávú félvezető határfelülete is alkothat heteroátmenetet. Az átmenet fontos jellemzője, hogy a két félvezetőnek egymáshoz képest milyen a tiltott sávja, és azon belül hol található a Fermi-szint, ugyanis ez alapvetően befolyásolja a vezetési sávok és a vegyértéksávok kölcsönös helyzetét, és ennek következtében a heteroátmeneten alapuló félvezető eszköz viselkedését. A 2000-es Fizikai Nobel-díjat és kapta „a nagysebességű és optoelektronikában alkalmazott félvezető heteroszerkezetek kifejlesztéséért”. (hu)
- A heteroátmenetnek nevezik azt az anyagi tartományt, mely két összeérintett, különböző sávszerkezeti jellemzőkkel bíró félvezető anyag határfelületén alakul ki. Heteroátmenetet képezhetnek különböző típusú félvezetők (pl. p-n átmenet), de akár azonos típusúak is. Például két n-típusú, de különböző anyagú, emiatt eltérő tiltott sávú félvezető határfelülete is alkothat heteroátmenetet. Az átmenet fontos jellemzője, hogy a két félvezetőnek egymáshoz képest milyen a tiltott sávja, és azon belül hol található a Fermi-szint, ugyanis ez alapvetően befolyásolja a vezetési sávok és a vegyértéksávok kölcsönös helyzetét, és ennek következtében a heteroátmeneten alapuló félvezető eszköz viselkedését. A 2000-es Fizikai Nobel-díjat és kapta „a nagysebességű és optoelektronikában alkalmazott félvezető heteroszerkezetek kifejlesztéséért”. (hu)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 6976 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| prop-hu:alcím
|
- Quantum states and electronic transport (hu)
- Quantum states and electronic transport (hu)
|
| prop-hu:author
|
- Hevesi Imre (hu)
- Hevesi Imre (hu)
|
| prop-hu:chapterurl
| |
| prop-hu:coauthors
| |
| prop-hu:cím
|
- Semiconductor Nanostructures (hu)
- Semiconductor Nanostructures (hu)
|
| prop-hu:first
|
- S. M. (hu)
- B. L. (hu)
- S. M. (hu)
- B. L. (hu)
|
| prop-hu:hely
| |
| prop-hu:isbn
|
- 978 (xsd:integer)
- ISBN 9780199534432 (hu)
|
| prop-hu:kiadó
| |
| prop-hu:last
|
- Sharma (hu)
- Sze (hu)
- Sharma (hu)
- Sze (hu)
|
| prop-hu:publicationPlace
|
- Oxford New York (hu)
- Hoboken, N.J (hu)
- Oxford New York (hu)
- Hoboken, N.J (hu)
|
| prop-hu:publisher
|
- Wiley-Interscience (hu)
- Pergamon Press (hu)
- Wiley-Interscience (hu)
- Pergamon Press (hu)
|
| prop-hu:subtitle
|
- Egyetemi segédlet (hu)
- Egyetemi segédlet (hu)
|
| prop-hu:szerző
|
- Thomas Ihn (hu)
- Thomas Ihn (hu)
|
| prop-hu:title
|
- Félvezető optika: Félvezető foton-források és foton-detektorok (hu)
- Physics of semiconductor devices (hu)
- Semiconductor heterojunctions (hu)
- Félvezető optika: Félvezető foton-források és foton-detektorok (hu)
- Physics of semiconductor devices (hu)
- Semiconductor heterojunctions (hu)
|
| prop-hu:url
|
- http://titan.physx.u-szeged.hu/~dpiroska/felvez/index.html|accessdate=2017-09-01|chapter=Félvezető átmenetek (hu)
- http://titan.physx.u-szeged.hu/~dpiroska/felvez/index.html|accessdate=2017-09-01|chapter=Félvezető átmenetek (hu)
|
| prop-hu:wikiPageUsesTemplate
| |
| prop-hu:year
|
- 1974 (xsd:integer)
- 2007 (xsd:integer)
|
| prop-hu:év
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:label
|
- Heteroátmenet (hu)
- Heteroátmenet (hu)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is foaf:primaryTopic
of | |
