| Property |
Value |
| dbo:abstract
|
- A szilárdtestfizikában a kétdimenziós elektrongáz (rövidítéssel gyakran 2DEG) egy bizonyos félvezető eszközökben fellépő jelenség és az azt leíró modell neve. Lényege, hogy az elektronok a tér két irányában szabadon elmozdulhatnak, míg a harmadik irányban kvantumbezárás érvényesül, így sajátos elektromos transzportjellemzőkkel rendelkező réteg alakul ki az anyagban. Az elektronok számára megengedett kvantumállapotok a bezárási irányban diszkrét energiaszintekre válnak el egymástól, mozgásuk pedig gyakorlatilag csak a kétdimenziós elektrongáz síkjában történik. A kétdimenziós elektrongáz kialakulása több ma használt elektronikus eszköz alapvető eleme, így például MOSFET-ekben és HEMT-eszközökben is alkalmazzák. Az alapkutatásban jelenleg is élénk figyelem kíséri a grafénen és az átmenetifém-dikalkogenidekben kialakuló kétdimenziós elektrongázt, illetve ezek tudományos alkalmazási lehetőségeit. Megfelelője elektronlyukak esetén a kétdimenziós elekronlyukgáz (angol rövidítéssel 2DHG). (hu)
- A szilárdtestfizikában a kétdimenziós elektrongáz (rövidítéssel gyakran 2DEG) egy bizonyos félvezető eszközökben fellépő jelenség és az azt leíró modell neve. Lényege, hogy az elektronok a tér két irányában szabadon elmozdulhatnak, míg a harmadik irányban kvantumbezárás érvényesül, így sajátos elektromos transzportjellemzőkkel rendelkező réteg alakul ki az anyagban. Az elektronok számára megengedett kvantumállapotok a bezárási irányban diszkrét energiaszintekre válnak el egymástól, mozgásuk pedig gyakorlatilag csak a kétdimenziós elektrongáz síkjában történik. A kétdimenziós elektrongáz kialakulása több ma használt elektronikus eszköz alapvető eleme, így például MOSFET-ekben és HEMT-eszközökben is alkalmazzák. Az alapkutatásban jelenleg is élénk figyelem kíséri a grafénen és az átmenetifém-dikalkogenidekben kialakuló kétdimenziós elektrongázt, illetve ezek tudományos alkalmazási lehetőségeit. Megfelelője elektronlyukak esetén a kétdimenziós elekronlyukgáz (angol rövidítéssel 2DHG). (hu)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 10467 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| prop-hu:date
|
- 1991 (xsd:integer)
- 1997 (xsd:integer)
|
| prop-hu:first
|
- J. H. (hu)
- C. (hu)
- B. (hu)
- J. H. (hu)
- C. (hu)
- B. (hu)
|
| prop-hu:isbn
| |
| prop-hu:last
|
- Davies (hu)
- Vinter (hu)
- Weisbuch (hu)
- Davies (hu)
- Vinter (hu)
- Weisbuch (hu)
|
| prop-hu:publisher
|
- Academic Press (hu)
- Cambridge University Press (hu)
- Academic Press (hu)
- Cambridge University Press (hu)
|
| prop-hu:title
|
- Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications (hu)
- The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An Introduction (hu)
- Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications (hu)
- The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An Introduction (hu)
|
| prop-hu:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:label
|
- Kétdimenziós elektrongáz (hu)
- Kétdimenziós elektrongáz (hu)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
